抗静电包装袋的作用与要求

文章出处：原创责任编辑：包装袋作者：包装袋人气：-发表时间：2015-03-28 14:22:00【大中小】

防静电包装袋

抗静电包装袋已成为一种日益增长的包装袋，它是包装袋上日益深化研究的重要课题。人们对它的重视主要来自两方面。

一方面，高分子材料已成为最重要的包装袋材料，而高分子材料大多是电绝缘性优良的材料，其表面电阻率高，高分子化合物大多为水性材料，不易从环境中吸附水分而降低表面电阻，高聚物材料在接触、断裂、剥离、摩擦、压电、感应灯状况下均能产生静电，集聚大量电荷，造成静电危害，轻则妨碍包装、吸尘，重则引起火灾。

另一方面，各种电子类产品越来越精细，微电子元件深入到了工业、军事、日常生活方面，无处不在。微电子产品的静电敏感度随着产品的小型化、集成化而提高。各种电子器件对静电放电（ESD）的敏感度见表格：

各种电子器件对ESD的敏感度

器件类型 ESD敏感度范围,V

VMOS 30-1800

MOSFET 100-200

GaAsFET 100-300

EPROM 100

JEFT 140-7000

ECL 500-1500

GMOS 250-3000

对于防静电电阻隔性材料，我国于1996颁布并实施国军标GJB2605-96，改标准等效采用美军标MIL--B--81705C，对阻隔包装袋的静电性能指标做出了明确贵点，见表：

性能指标适用类型性能要求检验条件

静电衰减 ① ② ③ ≤2.00s RT:23±2℃、RH:12%±3%

电磁干扰衰减 ① ② ≥25dB、≥10dB

表面电阻率 ① ② ③ ≥10 RT:23±2℃、RH:12%±3%

静电屏蔽 ① ② ≤30V RT:23±2℃、RH：12%±3%

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抗静电包装袋的作用与要求

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防静电包装袋

抗静电包装袋已成为一种日益增长的包装袋，它是包装袋上日益深化研究的重要课题。人们对它的重视主要来自两方面。

各种电子器件对ESD的敏感度

器件类型 ESD敏感度范围,V

VMOS 30-1800

MOSFET 100-200

GaAsFET 100-300

EPROM 100

JEFT 140-7000

ECL 500-1500

GMOS 250-3000

性能指标适用类型性能要求检验条件

静电衰减 ① ② ③ ≤2.00s RT:23±2℃、RH:12%±3%

电磁干扰衰减 ① ② ≥25dB、≥10dB

表面电阻率 ① ② ③ ≥10 RT:23±2℃、RH:12%±3%

静电屏蔽 ① ② ≤30V RT:23±2℃、RH：12%±3%

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